[发明专利]半导体装置的间距内通孔及相关联的装置和系统在审
| 申请号： | 202110887058.2 | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114067859A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李红旗;J·A·库尔特拉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体装置的间距内通孔以及相关联的装置和系统。在一个实施例中，所述半导体装置可包含3维3D交叉点存储器阵列。所述半导体装置还包含所述存储器阵列的存取线，所述存取线与连接到安置在所述存储器阵列下方的CMOS电路系统的间距内通孔耦合。在一些实施例中，第一存取线可与在所述存储器阵列的边界之外的第一通孔耦合，其中所述第一通孔与所述边界分隔第一距离且具有纵向于所述第一存取线的第一长度。此外，第二存取线可与在所述边界之外的第二通孔耦合，其中所述第二通孔与所述边界分隔大于所述第一距离的第二距离且具有纵向于所述第二存取线的第二长度，所述第二长度不同于所述第一长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 间距 内通孔 相关 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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