[发明专利]包括多个沟槽的半导体装置在审
| 申请号： | 202110886763.0 | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114068696A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·菲利普·桑多;马泰奥·达伊内塞 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种半导体装置(100)。该半导体装置(100)包括从第一主表面(106)延伸到半导体本体(104)中的多个沟槽(102)。多个沟槽(102)中的第一组沟槽(1021)包括栅电极(1081)。多个沟槽(102)中的第二组沟槽(1022)包括源电极(1082)。多个沟槽(102)中的第三组沟槽(1023)的包括辅助电极(1083)。源电极(1082)经由源极布线(112)和辅助电极(1083)电耦接至源极接触区(110)。源极布线(112)和辅助电极(1083)串联电连接在源极接触区(110)与源电极(1082)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 沟槽 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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