[发明专利]包括多个沟槽的半导体装置

说明书

提出了一种半导体装置(100)。该半导体装置(100)包括从第一主表面(106)延伸到半导体本体(104)中的多个沟槽(102)。多个沟槽(102)中的第一组沟槽(1021)包括栅电极(1081)。多个沟槽(102)中的第二组沟槽(1022)包括源电极(1082)。多个沟槽(102)中的第三组沟槽(1023)的包括辅助电极(1083)。源电极(1082)经由源极布线(112)和辅助电极(1083)电耦接至源极接触区(110)。源极布线(112)和辅助电极(1083)串联电连接在源极接触区(110)与源电极(1082)之间。

技术领域

本公开内容涉及半导体装置，尤其涉及包括多个沟槽的半导体装置。

背景技术

在如绝缘栅双极晶体管(IGBT)的半导体开关装置中，移动电荷载流子涌入低掺杂漂移区域并形成提供低接通状态电阻的电荷载流子等离子体。当通过沟槽中的栅电极在接通状态与关断状态之间切换时，寄生电容会对装置的整体切换行为产生影响。可能会导致不期望的影响，例如接通损耗。因此，半导体装置技术的发展对于满足对半导体沟槽装置的切换特性的目标要求具有挑战性。

存在改进半导体沟槽装置的切换特性的需求。

发明内容

本公开内容的示例涉及一种半导体装置。该半导体装置包括从第一主表面延伸到半导体本体中的多个沟槽。多个沟槽中的第一组沟槽包括栅电极。多个沟槽中的第二组沟槽包括源电极。多个沟槽中的第三组沟槽包括辅助电极。源电极经由源极布线和辅助电极电耦接至源极接触区。源极布线和辅助电极串联电连接在源极接触区与源电极之间。

本公开内容的另一示例涉及另一半导体装置。该半导体装置包括从第一主表面延伸到半导体本体中的多个沟槽。多个沟槽中的第一组沟槽包括栅电极。多个沟槽中的第二组沟槽包括源电极。源电极至少被再分为第一部分和第二部分。源电极的第一部分沿轴向方向的单位长度的电导小于源电极的第二部分沿轴向方向的单位长度的电导。第二部分经由第一部分电耦接至源极接触区。该半导体装置还包括由第一组沟槽中的沟槽和第二组沟槽中的沟槽界定的台面区域。台面区域包括电连接至源极接触区的源极区域。

本公开内容的另一示例涉及另一半导体装置。该半导体装置包括从第一主表面延伸到半导体本体中的多个沟槽。多个沟槽中的第一组沟槽包括栅电极。多个沟槽中的第二组沟槽包括源电极。第二组沟槽中的源电极经由源极布线和放置在与半导体本体不同的基板上的电阻器电耦接至源极接触区。源极布线和电阻器串联连接在源极接触区与第二组沟槽中的源电极之间。

本领域技术人员在阅读以下详细说明和查看附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供对实施方式的进一步理解，并且被结合在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了半导体装置例如垂直功率半导体装置的实施方式并且与说明书一起用于解释实施方式的原理。在以下详细说明和权利要求中描述了进一步的实施方式。

图1A至图1F是用于示出包括源电极与源极接触区之间的电阻耦接的半导体装置的示例的示意性平面图和截面图。

图2A至图2I是用于示出源电极与源极接触区之间的电阻耦接的示例的示意性布局。

图3A至图3C、图4和图5是用于示出包括源电极与源极接触区之间的电阻耦接的半导体装置的其他示例的示意性平面图和截面图。

具体实施方式