[发明专利]包括多个沟槽的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置(100)，包括：

从第一主表面(106)延伸到半导体本体(104)中的多个沟槽(102)，其中，

所述多个沟槽(102)中的第一组沟槽(1021)包括栅电极(1081)，所述多个沟槽(102)中的第二组沟槽(1022)包括源电极(1082)，并且所述多个沟槽(102)中的第三组沟槽(1023)包括辅助电极(1083)；以及

所述源电极(1082)经由源极布线(112)和辅助电极(1083)电耦接至源极接触区(110)，并且所述源极布线(112)和所述辅助电极(1083)串联电连接在所述源极接触区(110)与所述源电极(1082)之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置(100)，其中，所述源极布线(112)和所述源极接触区(110)是图案化布线层的分离部分。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中，所述第二组沟槽(1022)中的沟槽(102)的数量与所述第三组沟槽(1023)中的沟槽(102)的数量之比在100到100000的范围内。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中，所述源极布线(112)平行于所述源极接触区(110)的至少两个边延伸。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中，所述源极布线(112)横向地围绕所述源极接触区(110)的周长的至少四分之一。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，还包括栅极布线(122)，其中，所述源极布线(112)布置在所述栅极布线(122)与所述源极接触区(110)之间，并且所述栅极布线(122)平行于所述源极布线(112)的至少两个边延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体装置(100)，

还包括第二源极布线(124)，其中，所述第二源极布线(124)与所述源极接触区(110)并接，并且所述源极布线(112)布置在所述第二源极布线(124)与所述源极接触区(110)之间，并且完全地或者主要地被所述第二源极布线(124)和所述源极接触区(110)横向包围。

8.根据权利要求7所述的半导体装置(100)，还包括布置在所述第二源极布线(124)与所述第一主表面(106)之间的多个接触部(116)，其中，所述多个接触部(116)将多个台面区域(114)电连接至所述第二源极布线(124)，并且其中所述多个台面区域(114)中的每个台面区域被所述多个沟槽(102)中的相邻沟槽横向限定。

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中，所述第三组沟槽(1023)中的辅助电极(1083)并联连接在所述源极布线(112)与所述源极接触区(110)之间，并且其中，并联连接的辅助电极(1083)的总电阻在所述栅电极(1081)与栅极端之间的电阻乘以所述第一组沟槽(1021)中的所有沟槽的轴向延伸的总和与所述第二组沟槽(1022)中的所有沟槽的轴向延伸的总和之比的50到500倍的范围内。

10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，还包括由所述第一组沟槽(1021)中的沟槽(102)和所述第二组沟槽(1022)中的沟槽(102)横向限定的台面区域(114)，其中，所述台面区域包括源极区域(128)。

11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中，所述辅助电极(1083)沿所述多个沟槽(102)的轴向方向的每单位长度的电导小于所述栅电极(1081)沿所述多个沟槽(102)的轴向方向的每单位长度的电导。