[发明专利]一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法有效
| 申请号： | 202110886343.2 | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN113600454B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孙文红;彭彪林;陈捷 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D7/00;B05D1/00;B05D1/38;B05D3/00;B05D3/02;B05D3/10;B05D3/14;H10N10/851;H10N10/01 |
| 代理公司： | 广西汇佳知识产权代理事务所(普通合伙) 45125 | 代理人： | 李秋琦 |
| 地址： | 530004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法，先制备包含Ba、Mn和Ti的前驱体溶液，再将前驱体溶液旋凃到预处理好的p‑GaN衬底上，再干燥、热解、退火，重复数次之后得到无铅铁电薄膜，本发明通过溶胶凝胶合成法在宽禁带半导体衬底(GaN)上制备无铅铁电薄膜，制备得到的薄膜材料具有非常宽的负电卡效应，还具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、储能密度高、负电卡效应工作温度范围广等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽禁带 半导体 衬底 制备 铅铁 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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