[发明专利]一种改善FinFET器件阈值电压适配和交流性能的方法在审
| 申请号： | 202110862502.5 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113644026A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善FinFET器件阈值电压适配和交流性能的方法，位于源区外延区和漏区外延区之间的栅极结构；覆盖栅极结构的第一层间介质层；对栅极结构平坦化露出栅极顶部；对金属栅和功函数层进行回刻，形成凹槽；沉积覆盖凹槽、栅极结构及第一层间介质层的第一阻挡层；在凹槽中形成氧栓塞，沉积覆盖第一层间介质层、栅极结构及氧栓塞的第二阻挡层；在第二阻挡层上形成第二层间介质层；在源区外延区和漏区外延区分别引出接触线。本发明可以提高器件的交流性能；避免氟进入高K介质层与氧发生反应恶化器件的阈值电压；提高栅极至金属层隔离表现，提高SRAM和逻辑电路的良率；简化了工艺；避免了栓塞中空洞的出现；增加了阻挡效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 finfet 器件 阈值 电压 交流 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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