[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110862262.9 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594110A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 辜艺敏;张赟;倪贤锋;范谦;顾星 | 申请（专利权）人： | 东南大学苏州研究院 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 金诗琦 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括多晶金刚石层，多晶金刚石层上覆盖单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜上依次堆叠介质层、缓冲层、势垒层和沟道层。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在原始衬底上形成有牺牲层；在牺牲层上形成多晶金刚石层；在籽晶层上形成单晶金刚石薄膜；将籽晶层和单晶金刚石薄膜倒置并键合到多晶金刚石层上；将籽晶层从单晶金刚石薄膜上分离；去除原始衬底和牺牲层；在临时衬底上形成缓冲层；在单晶金刚石薄膜上形成介质层，将单晶金刚石薄膜与缓冲层键合；去除临时衬底；在缓冲层上形成势垒层和沟道层。本发明改善散热性能和稳定性能，提高电学性能，改善器件良率，简化制备工艺，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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