[发明专利]接触孔的制作方法在审
| 申请号： | 202110856792.2 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113629007A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄志勇;张欢欢;余鹏;王玉新;冯大贵 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种接触孔的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅极，栅极两侧形成有侧墙，栅极之间的衬底中形成有硅化阻挡层，栅极和侧墙上形成有层间介电层，层间介电层上形成有多层膜结构；采用光刻工艺覆盖光阻，使目标区域暴露，目标区域位于栅极之间；进行刻蚀，去除目标区域的多层膜结构和层间介电层，使目标区域的衬底暴露，在进行刻蚀的过程中，通入反应气体清除刻蚀过程中产生的聚合物；去除光阻；进行刻蚀，去除硅化阻挡层，在目标区域形成通孔，该通孔用于形成接触通孔。本申请通过在进行对多层膜结构刻蚀的过程中，通入反应气体清除刻蚀过程中产生的聚合物，从而能够较为彻底地去除聚合物，提高了器件的可靠性与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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