[发明专利]接触孔的制作方法

说明书

本申请公开了一种接触孔的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅极，栅极两侧形成有侧墙，栅极之间的衬底中形成有硅化阻挡层，栅极和侧墙上形成有层间介电层，层间介电层上形成有多层膜结构；采用光刻工艺覆盖光阻，使目标区域暴露，目标区域位于栅极之间；进行刻蚀，去除目标区域的多层膜结构和层间介电层，使目标区域的衬底暴露，在进行刻蚀的过程中，通入反应气体清除刻蚀过程中产生的聚合物；去除光阻；进行刻蚀，去除硅化阻挡层，在目标区域形成通孔，该通孔用于形成接触通孔。本申请通过在进行对多层膜结构刻蚀的过程中，通入反应气体清除刻蚀过程中产生的聚合物，从而能够较为彻底地去除聚合物，提高了器件的可靠性与良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种接触孔的制作方法。

背景技术

在集成电路中，接触孔(contact，CT)是用于连接前段器件和后段互连金属的结构，其通过在层间介电层(inter layer dielectric，ILD)中刻蚀形成通孔后，填充金属形成。

为了进一步降低接触孔尺寸的关键尺寸，可通过在其制作过程中使用富含聚合物的刻蚀工艺进行通孔刻蚀实现。在通孔刻蚀的过程中，湿法清洗工艺中的溶剂易与干法蚀刻工艺中生成的聚合物(该聚合物通常沉积于刻蚀停止层和交接界面处)反应，持续向刻蚀停止层横向刻蚀，会有较高的几率在通孔侧壁出现刻蚀不平整、不连贯的现象，严重时会在层间介电层与刻蚀停止层的交接界面处形成楔形的缺口，该形貌会影响接触孔内金属的填充，从而降低了器件的可靠性和产品的良率。

鉴于此，相关技术中，在通孔刻蚀完成后，会进行表面后刻蚀处理(post etchtreatment，PET)以去除聚合物。然而，通过该方式对聚合物进行处理效果较差，器件的良率依然较低。

发明内容

本申请提供了一种接触孔的制作方法，可以解决相关技术中提供的接触孔的制作方法中通过在表面后刻蚀处理去除聚合物效果较差从而导致器件的可靠性和良率较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种接触孔的制作方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧形成有侧墙，所述栅极之间的衬底中形成有硅化阻挡层，所述栅极和所述侧墙上形成有层间介电层，所述层间介电层上形成有多层膜结构；

采用光刻工艺覆盖光阻，使目标区域暴露，所述目标区域位于所述栅极之间；

进行刻蚀，去除所述目标区域的多层膜结构和层间介电层，使所述目标区域的衬底暴露，在进行所述刻蚀的过程中，通入反应气体清除所述刻蚀过程中产生的聚合物；

去除光阻；

进行刻蚀，去除所述硅化阻挡层(salicide block，SAB)，在所述目标区域形成通孔，所述通孔用于形成所述接触通孔。

可选的，所述进行刻蚀，去除所述目标区域的多层膜结构和层间介电层，包括：

进行刻蚀，对所述目标区域的多层膜结构进行去除处理，通入所述反应气体对所述聚合物进行清除；

进行刻蚀，对所述目标区域的层间介电层进行去除处理，通入所述反应气体对所述聚合物进行清除；

进行多次刻蚀，对所述目标区域内的侧墙进行去除处理，使所述目标区域的衬底暴露，在每次刻蚀后，通入所述反应气体对所述聚合物进行清除。

可选的，所述反应气体包括氧气(O₂)。

可选的，所述对所述聚合物进行清除的过程中，通入的反应气体的压力为。

可选的，所述硅化阻挡层和所述层间介电层包括氧化物，所述侧墙包括氮化物；

所述在进行多次刻蚀的过程中，对氧化物和氮化物的刻蚀选择比大于5。