[发明专利]接触孔的制作方法在审
| 申请号： | 202110856792.2 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113629007A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄志勇;张欢欢;余鹏;王玉新;冯大贵 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 制作方法 | ||
1.一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧形成有侧墙，所述栅极之间的衬底中形成有硅化阻挡层，所述栅极和所述侧墙上形成有层间介电层，所述层间介电层上形成有多层膜结构；
采用光刻工艺覆盖光阻，使目标区域暴露，所述目标区域位于所述栅极之间；
进行刻蚀，去除所述目标区域的多层膜结构和层间介电层，使所述目标区域的衬底暴露，在进行所述刻蚀的过程中，通入反应气体清除所述刻蚀过程中产生的聚合物；
去除光阻；
进行刻蚀，去除所述硅化阻挡层，在所述目标区域形成通孔，所述通孔用于形成所述接触通孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行刻蚀，去除所述目标区域的多层膜结构和层间介电层，包括：
进行刻蚀，对所述目标区域的多层膜结构进行去除处理，通入所述反应气体对所述聚合物进行清除；
进行刻蚀，对所述目标区域的层间介电层进行去除处理，通入所述反应气体对所述聚合物进行清除；
进行多次刻蚀，对所述目标区域内的侧墙进行去除处理，使所述目标区域的衬底暴露，在每次刻蚀后，通入所述反应气体对所述聚合物进行清除。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应气体包括氧气。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述聚合物进行清除的过程中，通入的反应气体的压力为。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硅化阻挡层和所述层间介电层包括氧化物，所述侧墙包括氮化物；
所述在进行多次刻蚀的过程中，对氧化物和氮化物的刻蚀选择比大于5。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述进行刻蚀，对所述目标区域的层间介电层进行去除，包括：
依次进行主刻蚀和过刻蚀，对所述目标区域的层间介电层进行去除处理。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多层膜结构从下而上依次包括先进图形材料层、硬掩模抗反射层和有机材料抗反射层。
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