[发明专利]一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法在审
| 申请号： | 202110854761.3 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113659003A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李加洋;吴磊;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人： | 滁州华瑞微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京中擎科智知识产权代理事务所(普通合伙) 32549 | 代理人： | 黄智明 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及MOSFET领域，公开了一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法，其技术方案要点是在MOSFET的栅极区域配置有可调电阻结构，所述可调电阻结构包括分别连接在栅极Poly引出端和栅极Pad之间的若干poly条组，所述poly条组包括至少一个poly条，所述poly条的本体至少包括一段粗条部和一段细条部，同处于一个poly条组中的所有poly条的粗条部之间电连接，所述粗条部与表面金属连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 电阻 可调 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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