[发明专利]一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法

说明书

本发明涉及MOSFET领域，公开了一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法，其技术方案要点是在MOSFET的栅极区域配置有可调电阻结构，所述可调电阻结构包括分别连接在栅极Poly引出端和栅极Pad之间的若干poly条组，所述poly条组包括至少一个poly条，所述poly条的本体至少包括一段粗条部和一段细条部，同处于一个poly条组中的所有poly条的粗条部之间电连接，所述粗条部与表面金属连接。

技术领域

本发明涉及MOSFET领域，更具体地说，它涉及一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法。

背景技术

功率器件在实际应用中经常会遇到EMI问题，通过调整器件栅极电阻（Rg）可有效改善EMI水平，如图3所示；常规做法：1、在栅极外接电阻；2、通过调整器件设计结构来增加栅极电阻（Rg）；

对于做法1，在栅极外接电阻的方式，因为电阻的寄生电感问题，会在栅极产生振荡，同时也会增加电路体积；

对于做法2，通过调整器件设计结构来增加Rg的方式，常见的调整方法类似专利CN104022093A所提到的，均是通过重新修改1-2块Mask版，调整Poly或CT打线位置来调整栅极电阻（Rg）；这种做法的缺点有：需要重新制版，增加加工成本；制版后需要重新流片，生产周期很长。

这两种做法在实际使用时，都存在较大的缺点，实际应用效果差。

发明内容

本发明是通过以下技术方案得以实现的：一种栅极电阻可调的MOSFET，在MOSFET的栅极区域配置有可调电阻结构，所述可调电阻结构包括分别连接在栅极Poly引出端和栅极Pad之间的若干poly条组，所述poly条组包括至少一个poly条，所述poly条的本体至少包括一段粗条部和一段细条部，同处于一个poly条组中的所有poly条的粗条部之间电连接，所述粗条部与表面金属连接。

作为本发明的一种优选技术方案，所述poly条包括两段细条部和三段粗条部，按照粗/细/粗/细/粗的方式排列连接，位于中部的粗条部通过金属孔与表面金属连接，一个位于端部的粗条部与栅极poly引出端相连，另一个位于端部的粗条部与栅极Pad相连。

作为本发明的一种优选技术方案，每个poly条组中包含的poly条的数量不等。

作为本发明的一种优选技术方案，相邻的poly条组对应的表面金属之间彼此隔离。

作为本发明的一种优选技术方案，增加可调电阻结构的电阻值的方法为：在poly条组对应的表面金属上和栅极Pad之间施加正向脉冲电流，烧断细条段。

作为本发明的一种优选技术方案，定量增加可调电阻结构的电阻值的方法为：根据poly条组中poly条的数量选定要烧毁断开的poly条组，并在选定的poly条组对应的表面金属和栅极Pad之间施加正向脉冲电流，使得选定的poly条组的细条段被烧毁断开。

作为本发明的一种优选技术方案，所述细条部的横截面的面积为粗条部的横截面的面积的1/8-1/10。

一种栅极电阻可调的MOSFET的制备方法，包括如下步骤：

在n型衬底片上形成外延层，得到外延片；

在外延片的外延层上生长形成Ring环注入的阻挡层，经过Ring光刻、注入和炉管退火，形成具有高压终端结构的结构片；

对具有高压终端结构的结构片进行光刻、干法刻蚀以及炉管湿法生长氧化层，得到具有氧化层的结构片；

在具有氧化层的结构片上对应N-外延漂移区的表面进行JFET注入和推阱，形成JFET区域，得到具有JFET区域的结构片；

在具有JFET区域的结构片生长栅氧化层，并沉积多晶形成具有多晶层的结构片；

对具有多晶层的结构片的多晶层进行poly光刻和干法刻蚀，形成多晶栅以及在终端区形成多晶场氧区域，得到带有多晶场氧的结构片；