[发明专利]具有共享导电选择栅极的紧凑存储器单元及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110850629.5 申请日: 2021-07-27
公开(公告)号: CN114005874A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 孙永顺;卓荣发;陈学深;郭克文 申请(专利权)人: 格芯新加坡私人有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L27/11568
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 牛南辉;贺月娇
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及具有共享导电选择栅极的紧凑存储器单元及其制造方法。本文公开的示例性器件包括:第一存储器单元,其包括位于半导体衬底的上表面上方的第一存储器栅极;以及第二存储器单元,其包括位于半导体衬底的上表面上方的第二存储器栅极。在该示例中,该器件还包括导电选择栅极结构,其位于半导体衬底的上表面上方且在第一存储器栅极和第二存储器栅极之间,其中该导电选择栅极结构由第一存储器单元和第二存储器单元共享。
搜索关键词: 具有 共享 导电 选择 栅极 紧凑 存储器 单元 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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