[发明专利]相移掩模的制作方法在审
申请号: | 202110839905.8 | 申请日: | 2021-07-20 |
公开(公告)号: | CN113589641A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 居碧玉;栾会倩;张丽娜;王影;王奇 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 罗雅文 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种相移掩模的制作方法,涉及半导体制造领域。该相移掩模的制作方法包括提供掩模基板;根据第一层图形设计数据,对掩模基板进行第一次图形化处理;在掩模基板表面涂布光刻胶;根据第二层图形设计数据,对光刻胶进行曝光和显影,显影后的光刻胶完全包裹划片道内需要被保留的不透光层,且划片道内需要被去除的不透光层不被光刻胶覆盖;以光刻胶为掩模,对掩模基板上的不透光层进行刻蚀;解决了目前相移掩模板的划片道内的条状缺陷的问题;达到了提高优化相移掩模的图形设计数据,提高相移掩模的良品率的效果。 | ||
搜索关键词: | 相移 制作方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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