[发明专利]相移掩模的制作方法

权利要求书

1.一种相移掩模的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供掩模基板；

根据第一层图形设计数据，对所述掩模基板进行第一次图形化处理；

在所述掩模基板表面涂布光刻胶；

根据第二层图形设计数据，对所述光刻胶进行曝光和显影，显影后的光刻胶完全包裹划片道内需要被保留的不透光层，且所述划片道内需要被去除的不透光层不被光刻胶覆盖；

以光刻胶为掩模，对所述掩模基板上的不透光层进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显影之前，所述方法还包括：

获取掩模等级对应的平均值相对目标值偏差规范和registration规范；

根据所述平均值相对目标值偏差规范和所述registration规范，确定所述第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的偏差值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述平均值相对目标值偏差规范和所述registration规范，确定所述第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的偏差值，包括：

根据所述平均值相对目标值偏差规范和所述registration规范，设定所述第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的测试偏差值；

根据所述测试偏差值进行掩模缺陷测试，得到缺陷测试结果；

检测所述缺陷测试结果是否满足通过标准；

若检测到所述缺陷测试结果满足所述通过标准，则将所述测试偏差值确定为所述第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的偏差值；

若检测到所述缺陷测试结果不满足所述通过标准，则重新设定所述第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的测试偏差值，并重新执行根据所述测试偏差值进行掩模缺陷测试，得到缺陷测试结果的步骤。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述测试偏差值进行掩模缺陷测试，得到缺陷测试结果，包括：

根据所述测试偏差值制作测试掩模；

对所述测试掩模进行掩模缺陷测试，得到缺陷测试结果。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述根据第一层图形设计数据，对所述掩模基板进行第一次图形化处理，包括：

在所述掩模基板表面涂布光刻胶；

根据所述第一层图形设计数据对所述光刻胶进行曝光、显影；

以光刻胶为掩模，刻蚀所述掩模基板上的不透光层和相位移层。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述不透光层为铬层。

7.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，相位移层为硅化钼层。