[发明专利]相移掩模的制作方法

说明书

本申请公开了一种相移掩模的制作方法，涉及半导体制造领域。该相移掩模的制作方法包括提供掩模基板；根据第一层图形设计数据，对掩模基板进行第一次图形化处理；在掩模基板表面涂布光刻胶；根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显影，显影后的光刻胶完全包裹划片道内需要被保留的不透光层，且划片道内需要被去除的不透光层不被光刻胶覆盖；以光刻胶为掩模，对掩模基板上的不透光层进行刻蚀；解决了目前相移掩模板的划片道内的条状缺陷的问题；达到了提高优化相移掩模的图形设计数据，提高相移掩模的良品率的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种相移掩模的制作方法。

背景技术

光刻工艺是半导体制造过程中的关键工艺之一。光刻工艺将掩模上的设计图形转移到晶圆上的光阻中。随着特征尺寸的不断减小，对光刻工艺的要求越来越高，相移掩模被广泛应用。

相移掩模(phase shifting mask，PSM)通过对相移掩模基板进行第一次曝光和显影、第一次刻蚀、第二次曝光和显影、第二次刻蚀来制作。在相移掩模的设计及制作完成后，对每块相移掩模进行缺陷检测时，发现相移掩模上的划片道内存在密集的条状缺陷。

经过分析，条状缺陷是由于第二次图形化时的套刻精度问题而产生的。如图1所示在对相移掩模基板进行第二次图形化时，希望形成的光阻图形11与第一次形成的图形完全对准，但是，由于套刻精度的问题，如图2所示，第二次图形化实际形成的光阻图形21发生偏移，进而影响第二次刻蚀，产生条状缺陷。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种相移掩模的制作方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种相移掩模的制作方法，该方法包括：

提供掩模基板；

根据第一层图形设计数据，对掩模基板进行第一次图形化处理；

在掩模基板表面涂布光刻胶；

根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显影，显影后的光刻胶完全包裹划片道内需要被保留的不透光层，且划片道内需要被去除的不透光层不被光刻胶覆盖；

以光刻胶为掩模，对掩模基板上的不透光层进行刻蚀。

可选的，根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显影之前，该方法还包括：

获取掩模等级对应的平均值相对目标值偏差规范和registration规范；

根据平均值相对目标值偏差规范和registration规范，确定第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的偏差值。

可选的，根据平均值相对目标值偏差规范和registration规范，确定第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的偏差值，包括：

根据平均值相对目标值偏差规范和registration规范，设定第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的测试偏差值；

根据测试偏差值进行掩模缺陷测试，得到缺陷测试结果；

检测缺陷测试结果是否满足通过标准；

若检测到缺陷测试结果满足通过标准，则将测试偏差值确定为第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的偏差值；

若检测到缺陷测试结果不满足通过标准，则重新设定第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的测试偏差值，并重新执行根据测试偏差值进行掩模缺陷测试，得到缺陷测试结果的步骤。

可选的，根据测试偏差值进行掩模缺陷测试，得到缺陷测试结果，包括：

根据测试偏差值制作测试掩模；