[发明专利]一种高沟道密度的碳化硅MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 202110828119.8 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113284954B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 顾航;高巍;戴茂州 | 申请（专利权）人： | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高沟道密度的碳化硅MOSFET及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过优化的版图设计方法，使得在碳化硅MOSFET元胞中源极金属仅在局部与N+源区接触，这样可以使得至少一个方向上的元胞尺寸得到缩减，元胞尺寸缩减的大小为源极金属与N+源区交叠部分宽度的两倍；此外本发明通过优化的工艺设计方法，分别采用两次自对准工艺形成MOSFET的P‑base区，从而完全消除单次自对准工艺中带来的P‑base间距的限制，使得元胞尺寸得到缩减，缩减尺寸大小为P‑base注入时的窗口间距。采用本发明的版图设计方法和工艺设计方法可以较大程度提高碳化硅MOSFET的沟道密度，从而降低比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 密度 碳化硅 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都蓉矽半导体有限公司，未经成都蓉矽半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110828119.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
