[发明专利]一种半导体板件沟槽刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110821564.1 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113539815A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 周海生;蒋振荣 | 申请（专利权）人： | 安徽富信半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02;G03F7/16 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 匡立岭 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体板件沟槽刻蚀方法，涉及半导体加工技术领域，包括步骤一：将光刻胶覆盖在非刻蚀区域的表面，得到加工板件；步骤二：将加工板件安装至刻蚀装置中的板件卡盘，并将其下降至刻蚀槽中进行刻蚀加工；步骤三：刻蚀加工后得到刻蚀板件，将其移动至清洗槽中，进行清洁加工；步骤四：清洗加工完成后，得到成品板件，再将成品板件的表面进行清洁，并晾干。本发明通过刻蚀工艺对半导体板件的沟槽进行加工，可以提高板件沟槽的加工质量，并且本案在板件的非刻蚀区域采用粘合剂与光刻胶进行连接，从而可以光刻胶与板件的粘合质量，通过在板件不同的区域分界线设置较细的光刻胶线体，可以提高沟槽刻蚀的精细度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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