[发明专利]图像传感器的制作方法在审

专利信息
申请号: 202110798959.4 申请日: 2021-07-15
公开(公告)号: CN113629081A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 张栋;郑晓辉;王晨旭;范晓 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 黎伟
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了一种图像传感器的制作方法,包括:在衬底上覆盖光阻,使目标区域暴露,目标区域包括第一目标区域和第二目标区域,第一目标区域是源跟随晶体管、复位晶体管和行选通晶体管两两之间的区域,第二目标区域是逻辑器件的有源区之间的区域;进行刻蚀,刻蚀至第一目标深度,在目标区域形成第一沟槽;在像素单元区域覆盖光阻;进行刻蚀,将第二目标区域的第一沟槽向下刻蚀至第二目标深度,形成第二沟槽;沉积硅氧化物,硅氧化物填充第一沟槽和第二沟槽;去除光阻,第一沟槽中的硅氧化物形成第一STI结构,第二沟槽中的硅氧化物形成第二STI结构。本申请通过在像素单元器件和逻辑器件之间形成STI结构,改善了了器件的漏电现象。
搜索关键词: 图像传感器 制作方法
【主权项】:
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