[发明专利]图像传感器的制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上覆盖光阻，使目标区域暴露，所述目标区域包括第一目标区域和第二目标区域，所述第一目标区域是所述图像传感器的源跟随晶体管和行选通晶体管的有源区之间的区域，以及源跟随晶体管和复位晶体管的有源区之间的区域，所述第二目标区域是所述图像传感器的逻辑器件的有源区之间的区域；

进行刻蚀，刻蚀至第一目标深度，在所述目标区域形成第一沟槽；

在所述图像传感器的像素单元区域覆盖光阻；

进行刻蚀，将所述第二目标区域所述的第一沟槽向下刻蚀至第二目标深度，形成第二沟槽；

沉积硅氧化物，所述硅氧化物填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；

去除光阻，所述第一沟槽中的硅氧化物形成第一STI结构，所述第二沟槽中的硅氧化物形成第二STI结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度为500埃至1500埃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽的深度为1700埃至4000埃。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽的截面为倒梯形，所述倒梯形的腰和下底之间的夹角为55度至89度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽的截面为倒梯形，所述倒梯形的腰和下底之间的夹角为50度至86度。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述沉积硅氧化物，包括：

通过HDP CVD工艺沉积所述硅氧化物。

7.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述沉积硅氧化物，包括：

通过HARP工艺沉积所述硅氧化物。

8.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，在覆盖光阻前，所述衬底上从下至上依次形成有衬垫氧化层和阻挡层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述阻挡层包括氮化硅层。