[发明专利]晶体制备压力容器的压力控制系统在审
| 申请号： | 202110798426.6 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113502545A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 袁韶阳;于会永;冯佳峰 | 申请（专利权）人： | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/20;C30B15/10;C30B11/00 |
| 代理公司： | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人： | 孙淑荣 |
| 地址： | 163000 黑*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种晶体制备压力容器的压力控制系统，涉及压力控制技术领域，包括压力容器、密封石英管和压力容器的进气排气系统，所述的密封石英管位于压力容器内，所述的密封石英管不少于三个，多个密封石英管依次套装，用于磷化铟单晶生长的多晶料、掺杂剂、液封剂及红磷装于最内层的密封石英管内，其余密封石英管内填充有石墨粉和红磷，其中红磷的质量由内管向外管呈梯度下降，保证磷升华为P4状态每层石英管的内外压差均不大于1atm，密封石英管底部与其外层的密封石英管底部之间设置有支撑块。本发明使得由内向外每一层石英管内的压强呈梯度下降，从而使最内层石英管的内压与压力容器的内压实现了平稳过渡，避免密封石英管内外压差剧变发生炸管事故。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 制备 压力容器 压力 控制系统 | ||
【主权项】：
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