[发明专利]三电平半导体开关管门极驱动电路在审
| 申请号： | 202110795492.8 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113489479A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 付永升;马峥嵘;任海鹏 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/567 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 戴媛 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三电平半导体开关管门极驱动电路，包括4个MOS管，分别称为M1、M2、M3、M4，M1与M2的漏极相连，M1与M2的栅极相连，M1和M2的源极共同连接有PWM信号A；M3与M4的漏极相连，M3与M4的栅极相连，M3和M4的源极共同连接有PWM信号B；M1和M2的漏极共同通过电容C与M3的源极连接；Vcc的负极与Vee的正极相连并且接地，Vcc的正极与M1的源极连接，Vcc的正极通过二极管D与M3的源极及电容C连接；M3和M4的漏极共同输出驱动电路的输出信号。本发明的驱动电路结构所需的器件更少，成本更低，有效减小系统的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 半导体 开关 管门极 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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