[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110793761.7 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115621193A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体结构制造方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆上表面具有向第一晶圆内部延伸的空隙结构；提供第二晶圆，第二晶圆下表面具有绝缘层；以绝缘层及第一晶圆上表面为键合面将第二晶圆与第一晶圆键合，绝缘层密封空隙结构；在第二晶圆上表面制作器件；形成硅通孔结构，硅通孔结构的至少部分侧面被空隙结构包围。本发明能够利用已有的绝缘层密封所述空隙结构，从而保持空隙结构的设计图案，保证后续形成的硅通孔结构应力释放效果，增大硅通孔结构周围不受内应力影响区域的面积，以增加晶体管的排布数量，提高半导体结构的性能；另外，器件形成在绝缘层之上，能够大大减小寄生电容，提升时脉，减少器件的电流漏电流，提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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