[发明专利]一种氮化物近红外发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202110785248.3 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113517377A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;王超;王艳杰;吴博琦;闫兴振;王欢;高晓红;吕卅;杨佳;赵春雷;赵阳;迟耀丹;杨小天;蔡乾顺;龙玉洪 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 刘小娇 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物近红外发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤一、在蓝宝石衬底上制备外延结构层；其中，所述外延结构层依次包括：GaN成核层、GaN模板层、DBR反射层、p型InGaN空穴注入层和n‑InN发光层；步骤二、将所述外延结构层表面的部分n‑InN发光层刻蚀掉，得到多个电极沉积区域，其中，所述电极沉积区域对应的p型InGaN空穴注入层暴露出来；步骤三、在所述电极沉积区域沉积第一金属电极并退火，形成p型区电极；步骤四、在所述n‑InN发光层上沉积第二金属电极并退火，得到初级器件；步骤五、对所述初级器件进行解理、封装，得到分立的发光二极管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 红外 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林建筑大学，未经吉林建筑大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110785248.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
