[发明专利]具有测试结构的晶片及切割晶片的方法在审
| 申请号： | 202110771372.4 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115602625A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 黄韦壬;王振孝;何凯光 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有测试结构的晶片及切割晶片的方法，其中该具有测试结构的晶片包含一晶片，晶片包含一正面和一背面，晶片的正面设置有一第一芯片、一第二芯片和一切割道，其中切割道位于第一芯片和第二芯片之间，第一芯片包含一第一金属线路和一第一介电层，其中第一金属线路位于第一介电层中以及第一介电层上，一测试结构和一介电层设置于切割道上，其中测试结构位于介电层上，两个第一沟槽分别位于介电层和第一介电层之间以及介电层的一侧，两个第二沟槽贯穿晶片，每一个第二沟槽各自和其对应的一个第一沟槽相连通，一研磨胶带覆盖在晶片的正面并且接触测试结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 测试 结构 晶片 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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