[发明专利]具有测试结构的晶片及切割晶片的方法

权利要求书

1.一种具有测试结构的晶片，包含：

晶片，包含正面和背面，该晶片的该正面上设置有第一芯片、第二芯片和切割道，其中该切割道位于该第一芯片和该第二芯片之间，该第一芯片包含第一金属线路和第一介电层，其中该第一金属线路位于该第一介电层中以及该第一介电层上；

测试结构和介电层，设置于该切割道上，其中该测试结构位于该介电层上；

两个第一沟槽，分别位于该介电层和该第一介电层之间以及该介电层的一侧；

两个第二沟槽，贯穿该晶片，该两个第二沟槽中的每一个各自和其对应的该两个第一沟槽中的一个相连通；以及

研磨胶带(grinding tape)，覆盖在该晶片的该正面并且接触该测试结构。

2.如权利要求1所述的具有测试结构的晶片，其中该第二芯片包含第二金属线路和第二介电层，其中该第二金属线路位于该第二介电层中以及该第二介电层上，该两个第一沟槽的其中之一个位于该第二介电层和该介电层之间。

3.如权利要求2所述的具有测试结构的晶片，其中该测试结构位于该第一金属线路与该第二金属线路之间。

4.如权利要求1所述的具有测试结构的晶片，其中该第一金属线路的最高的上表面和该测试结构的最高的上表面切齐。

5.如权利要求1所述的具有测试结构的晶片，其中该第一金属线路包含保护环。

6.如权利要求1所述的具有测试结构的晶片，其中各该第二沟槽的侧壁为实质(substantially)平坦的。

7.如权利要求1所述的具有测试结构的晶片，其中各该第二沟槽的侧壁上没有脱层(delamination)或龟裂(cracks)。

8.如权利要求1所述的具有测试结构的晶片，其中该测试结构没有从该两个第一沟槽曝露出来，该第一金属线路和该第二金属线路都没有从该两个第一沟槽曝露出来。

9.如权利要求1所述的具有测试结构的晶片，另包含保护层，覆盖该第一金属线路和该第二金属线路。

10.如权利要求1所述的具有测试结构的晶片，其中各该第一沟槽的深度为8～15微米。

11.一种切割晶片的方法，包含：

提供晶片，该晶片包含正面和背面，该晶片的该正面上设置有第一芯片、第二芯片和切割道，其中该切割道位于该第一芯片和该第二芯片之间，测试结构和介电层设置于该切割道上，其中该测试结构位于该介电层上，该第一芯片包含第一金属线路和第一介电层，其中该第一金属线路位于该第一介电层中以及该第一介电层上，两个第一沟槽分别位于该测试结构两侧的该介电层中并且该晶片由该两个第一沟槽曝露出来；

提供研磨胶带覆盖在该晶片的该正面并且接触该测试结构；

研磨该晶片的该背面以薄化该晶片；以及

在薄化该晶片之后，进行等离子体制作工艺包含：

蚀刻该晶片的该背面以形成两个第二沟槽各别贯穿该晶片，该两个第二沟槽中的每一个各自和其对应的该两个第一沟槽中的一个相连通。

12.如权利要求11所述的切割晶片的方法，其中该第二芯片包含第二金属线路与第二介电层，该第二金属线路位于该第二介电层以及该第二介电层上。

13.如权利要求11所述的切割晶片的方法，另包含：

在该等离子体制作工艺之后，提供胶带贴附该晶片的该背面；

在该胶带贴附该晶片的该背面之后移除该研磨胶带；

延展该胶带以增加该第一芯片和该第二芯片之间的距离；以及

将该第一芯片和该第二芯片由该胶带取下。