[发明专利]具有测试结构的晶片及切割晶片的方法

说明书

本发明公开一种具有测试结构的晶片及切割晶片的方法，其中该具有测试结构的晶片包含一晶片，晶片包含一正面和一背面，晶片的正面设置有一第一芯片、一第二芯片和一切割道，其中切割道位于第一芯片和第二芯片之间，第一芯片包含一第一金属线路和一第一介电层，其中第一金属线路位于第一介电层中以及第一介电层上，一测试结构和一介电层设置于切割道上，其中测试结构位于介电层上，两个第一沟槽分别位于介电层和第一介电层之间以及介电层的一侧，两个第二沟槽贯穿晶片，每一个第二沟槽各自和其对应的一个第一沟槽相连通，一研磨胶带覆盖在晶片的正面并且接触测试结构。

技术领域

本发明涉及一种具有测试结构的晶片及一种切割晶片的方法，特别是涉及从晶片的背面以等离子体蚀刻的方式，在保留测试结构的情况下切割晶片的方法。

背景技术

在光电、半导体、信息电子等领域，常以硅晶片作为电子元件的材料，但是硅晶片的高硬度、高脆性的特性，对其在切割加工上造成一些困难。再传统的硅晶片切割加工方法中，依加工机制的不同，主要可区分为接触式与非接触式两种加工方式。接触式加工，是通过金刚石刀具或钻石轮刀直接对硅晶片表面进行切割。非接触式切割硅晶片的加工技术上，主要是使用短波长的高能激光光束，在极短时间内将激光光束聚焦于硅晶片表面打断材料层的键结，以达到切割的目的。

此外，在硅晶片上设置有多层介电层、导电层以及金属层，并使用光刻技术图案化不同的材料层，以在其上形成电路元件。在完成前述材料层后会使用晶片级测试(wafer-level testing)来确定制作工艺的良率，在测试时，利用侦测预先设置在晶片上的测试键，以识别不良的芯片。

然而由于测试键的存在，使得在利用刀具切割晶片时需切割硅晶片和测试键，或是利用激光切割晶片时需预先加热以去除测试键，这些过程都会在硅晶片上产生龟裂。

有鉴于此，有必要提出一种高良率、高产量的切割技术，以改善前述的缺点。

发明内容

根据本发明的优选实施例，一种具有测试结构的晶片包含一晶片具有一正面和一背面，晶片的正面上设置有一第一芯片、一第二芯片和一切割道，其中切割道位于第一芯片和第二芯片之间，第一芯片包含一第一金属线路和一第一介电层，其中第一金属线路位于第一介电层中以及第一介电层上，一测试结构和一介电层设置于切割道上，其中测试结构位于介电层上，两个第一沟槽分别位于介电层和第一介电层之间以及介电层的一侧，两个第二沟槽贯穿晶片，每一个第二沟槽各自和其对应的一个第一沟槽相连通，一研磨胶带覆盖在晶片的正面并且接触测试结构。

根据本发明的另一优选实施例，一种切割晶片的方法包含提供一晶片，晶片包含一正面和一背面，晶片的正面上设置有一第一芯片、一第二芯片和一切割道，其中切割道位于第一芯片和第二芯片之间，一测试结构和一介电层设置于切割道上，其中测试结构位于介电层上，第一芯片包含一第一金属线路和一第一介电层，其中第一金属线路位于第一介电层中以及第一介电层上，两个第一沟槽分别位于测试结构两侧的介电层中并且晶片由第一沟槽曝露出来，接着提供一研磨胶带覆盖在晶片的正面并且接触测试结构，之后研磨晶片的背面以薄化晶片，在薄化晶片之后，进行一等离子体制作工艺，等离子体制作工艺包含蚀刻晶片的背面以形成两个第二沟槽各别贯穿晶片，每一个第二沟槽各自和其对应的一个第一沟槽相连通。

让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1至图9为根据本发明的优选实施例所绘示的一种切割晶片的方法的示意图，其中：

图2为沿着图1中的切线AA’所绘示的剖视图；

图3为接续图2的步骤的示意图；

图4为接续图3的步骤的示意图；

图5为接续图4的步骤的示意图；