[发明专利]FinFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202110767203.3 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113611668A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李威养;陈定业 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造FinFET的方法，以及FinFET。在各个实施例中，用于制造FinFET的方法包括：在衬底上方形成鳍结构。接下来，沉积横跨在鳍结构上方的伪栅极。该方法继续在伪栅极的侧壁上形成成对的第一间隔件。然后，在未被伪栅极覆盖的鳍结构中形成源极/漏极区。该方法还包括去除伪栅极以暴露鳍结构。之后，截短第一间隔件以及形成覆盖暴露的鳍结构和第一间隔件的顶面的栅极堆叠件。本发明涉及FinFET及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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