[发明专利]一种高质量氧化镓半导体器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110765248.7 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113555444A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李京波;王小周;赵艳;齐红基;李翎;任家呈 | 申请（专利权）人： | 浙江芯国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 311421 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高质量氧化镓半导体器件及制备方法，该氧化镓半导体器件包括：Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 质量 氧化 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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