[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备

摘要

本申请提供的三维存储器的制备方法，形成贯穿叠层结构的第一凹槽后，在第一凹槽侧壁形成第一保护层，对组成第一凹槽侧壁的各层结构进行保护，防止实施其他制备工艺时损坏侧壁上的各层结构。随后形成贯穿第一凹槽底壁、牺牲层并延伸至第一半导体材料层的第二凹槽，再在第二凹槽侧壁、第二凹槽底壁形成第二保护层，利用第二保护层对与牺牲层相邻的第一半导体材料层等层结构进行保护，特别是防止底部的第一半导体材料层在牺牲层去除时被移除，造成损坏，同时第二保护层还可以通过对底部层结构的保护为顶部层结构提供有效的支撑基础，有利于增加三维存储器的结构稳定性，提高三维存储器的质量，进而提供了三维存储器、电子设备。