[发明专利]漏电测试结构及漏电测试方法有效
| 申请号： | 202110731413.7 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113257790B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈泽勇;周正良 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/52 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种漏电测试结构及漏电测试方法，所述漏电测试结构包括衬底，所述衬底内形成有第一阱区和第二阱区；所述漏电测试结构还包括形成于所述第二阱区和所述第一阱区之间的第一浅沟槽隔离结构、形成于所述第一阱区内的第一源漏区、形成于所述第二阱区内的多个第二源漏区以及形成于所述衬底上的测试栅极。在漏电测试方法中，使多个所述漏电测试结构的设计尺寸不同，并对每个所述漏电测试结构进行测试，可以得到每个所述漏电测试结构中的漏电流，并根据每个所述漏电测试结构中的漏电流得到所述设计尺寸与所述漏电测试结构中的漏电流的对应关系，进而可反映出因半导体器件的内部设计而导致的寄生漏电等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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