[发明专利]三维存储器的制备方法在审
| 申请号： | 202110727081.5 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113437083A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 祝君龙;郑晓芬;杨永刚;李君;彭盛 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了三维存储器的制备方法，包括：刻蚀在衬底上形成的堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的沟道孔，其中，堆叠结构包括沿垂直于衬底的方向交替堆叠的层间绝缘层和牺牲层，层间绝缘层为氧化硅层，牺牲层为氮化硅层；刻蚀堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的沟道孔；以及用硫酸‑过氧化氢混合物(SPM)对沟道孔进行处理，其中，硫酸‑过氧化氢混合物的温度不低于125℃，和/或组成硫酸‑过氧化氢混合物的硫酸和过氧化氢的体积比不大于6.4:1。用硫酸‑过氧化氢混合物对沟道孔进行处理，可以在清洗沟道孔中残留的杂质的同时，实现沟道孔侧壁的氮化硅层相对于氧化硅层的凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
