[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110726053.1 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113534339B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 林诗玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本申请的实施例，提供了半导体结构和制造半导体结构的方法，包括：波导，具有围绕设置在衬底上方的芯层的盖层；腔体，延伸到与波导相邻的衬底中；光纤，设置在腔体中；以及隔离空间，延伸到衬底中并设置在波导下方。多个孔可以延伸穿过与芯层相邻的盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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