[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

根据本申请的实施例，提供了半导体结构和制造半导体结构的方法，包括：波导，具有围绕设置在衬底上方的芯层的盖层；腔体，延伸到与波导相邻的衬底中；光纤，设置在腔体中；以及隔离空间，延伸到衬底中并设置在波导下方。多个孔可以延伸穿过与芯层相邻的盖层。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即每芯片面积上互连器件的数量)通常增大了而几何尺寸(即，使用制造工艺可以做出的最小的元件(或线))减小了。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这种按比例缩小工艺也增大了加工和制造IC的复杂度。

限制和引导电磁波的光波导被用作提供各种光子功能的集成电路中的组件。集成光波导通常为施加在可见光谱中的光波长上的信号提供功能，并且甚至在亚微米尺寸的情况下，已经观察到为施加在红外光谱中的光波长上的信号提供功能。然而，信号在传播过程中可能会遭受损失，从而降低波导的效率并降低器件的性能。因此，尽管包括波导的结构在一些方面是令人满意的，但是对这些器件及其包括光波导的制造及其与其他组件的接口的改进有利于满足效率要求。

发明内容

根据本申请的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：波导，包括盖层，盖层围绕设置在衬底上方的芯层；腔体，延伸到与波导相邻的衬底中；光纤，设置在腔体中；以及隔离空间，延伸到衬底中并设置在波导下方。

根据本申请的另一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：波导，设置在衬底上方，其中，波导包括芯元件，芯元件具有带有第一宽度的主体部分和带有从第一宽度减小到第二宽度的宽度的锥形端部区域；隔离空间，位于波导和衬底之间，其中，隔离空间介于主体部分和衬底之间以及介于锥形端部区域和衬底之间；腔体，与波导的锥形端部区域相邻；以及光纤，设置在腔体中并与芯元件对准。

根据本申请的又一个实施例，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成具有芯层和盖层的波导；在衬底上方形成掩蔽元件，其中，掩蔽元件具有限定腔体的第一开口和限定多个释放孔的多个第二开口；蚀刻第一开口和多个第二开口下方的盖层，以同时形成多个释放孔和腔体的上部；以及蚀刻多个释放孔下方的衬底以形成隔离空间。

本申请的实施例涉及源极/漏极部件分离结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可更好地理解本发明。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出根据本公开的一个或多个方面的用于形成器件的方法的实施例的流程图。

图2A、图2E、图3A、图4A、图5A、图5C、图6A和图7示出根据本公开的一个或多个方面的在根据图1的方法的制造工艺期间的器件的实施例的局部截面图。

图2B、图2C、图2D、图3B、图4B、图5B和图6B示出根据本公开的一个或多个方面的在根据图1的方法的制造工艺期间的并且与图2A、图3A、图4A、图5A和图6A的器件分别对应的器件的实施例的局部俯视图。

图8示出根据本公开的一个或多个方面的用于确定和提供释放孔配置以形成与图1的方法100的各个步骤对应的隔离空间的方法的实施例的流程图。

图9和图10示出根据本公开的一个或多个方面的在根据图1的方法的制造工艺期间的器件的其他实施例的局部俯视图。

具体实施方式