[发明专利]一种调节组分平衡的碳化硅晶体生长方法及设备有效
| 申请号： | 202110695211.1 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113249792B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈建明;姜树炎;周元辉;刘春艳;杨洪雨 | 申请（专利权）人： | 苏州优晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人： | 胡妍 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种调节组分平衡的碳化硅晶体生长方法及设备，其设备包括包括腔体、固定在腔体内的石墨坩埚和加热器、生长槽，所述石墨坩埚内水平设置有多孔隔板，多孔隔板将石墨坩埚分为晶体生长腔和辅助腔，晶体生长腔内盛装有碳化硅原料，辅助腔内通过升降组件活动连接有辅助坩埚，辅助坩埚内部盛装有富硅原料；所述加热器对晶体生长腔均匀加热。本发明的设备包括石墨坩埚以及利用升降组件调节的辅助坩埚，随着晶体不断生长，利用升降组件对辅助坩埚的高度进行调节，使其在晶体生长过程中向碳化硅原料中补充硅元素，调节碳化硅原料中碳组分和硅组分的平衡，避免碳化硅晶体发生螺旋错位、层错、微管等缺陷，同时提高碳化硅原料的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 组分 平衡 碳化硅 晶体生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
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