[发明专利]一种用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法在审
申请号: | 202110685143.0 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113506815A | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 夏小峰;彭翔 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法,逻辑晶圆设有第一、第二逻辑区;像素晶圆设有像素区;逻辑晶圆的第二逻辑区的高度低于像素晶圆的像素区的高度;在逻辑晶圆上旋涂一层镀层填充于第二逻辑区;待镀层硬化后,在逻辑晶圆上形成一层具有第一厚度的氧化硅膜层;将第一厚度的氧化硅膜层进行化学机械研磨至第二厚度;将逻辑晶圆与像素晶圆进行键合,第二逻辑区与像素区的边缘为键合边界。本发明增加旋涂镀层工艺,后续利用化学气相沉积补镀氧化硅膜层,保证CMP平坦化之前的膜层厚度不变,使逻辑晶圆晶边区域被后续工艺修复,实现对键合工艺缺陷降低,提升产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 改善 堆栈 图像传感器 缺陷 工艺 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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