[发明专利]一种用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法在审
| 申请号： | 202110685143.0 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113506815A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 夏小峰;彭翔 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 堆栈 图像传感器 缺陷 工艺 方法 | ||
1.一种用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供逻辑晶圆和像素晶圆；所述逻辑晶圆设有第一、第二逻辑区；所述像素晶圆设有像素区；其中所述逻辑晶圆的所述第二逻辑区的高度低于所述像素晶圆的所述像素区的高度；
步骤二、在所述逻辑晶圆上旋涂一层镀层，使得所述镀层填充于所述第二逻辑区，被填充后的所述第二逻辑区的高度与所述像素晶圆的所述像素区的高度相一致；
步骤三、待所述镀层硬化后，在所述逻辑晶圆上形成一层具有第一厚度的氧化硅膜层；
步骤四、将第一厚度的所述氧化硅膜层进行化学机械研磨，并且研磨至第二厚度为止；
步骤五、将所述逻辑晶圆与所述像素晶圆进行键合，并且所述第二逻辑区与所述像素区的边缘为键合边界。
2.根据权利要求1所述的用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法，其特征在于：步骤一中的所述第一逻辑区的高度高于所述第二逻辑区的高度。
3.根据权利要求1所述的用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法，其特征在于：步骤一中所述第二逻辑区的高度比所述像素区的高度低
4.根据权利要求1所述的用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法，其特征在于：步骤二中利用特色旋涂工艺在所述逻辑晶圆上旋涂所述镀层。
5.根据权利要求1所述的用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法，其特征在于：步骤三中在所述逻辑晶圆上旋涂所述镀层的同时，所述第一逻辑区亦被旋涂所述镀层。
6.根据权利要求1所述的用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法，其特征在于：步骤三中形成所述氧化硅膜层的方法为化学气相沉积法。
7.根据权利要求1所述的用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法，其特征在于：步骤三中形成的所述氧化硅膜层的所述第一厚度为
8.根据权利要求1所述的用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法，其特征在于：步骤四中所述氧化硅膜层的所述第二厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
