[发明专利]一种低熔点导电膏及其制备方法在审
申请号: | 202110685118.2 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113573498A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 杨雪薇;刘开煌;虞成城 | 申请(专利权)人: | 深圳市信维通信股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/34 | 分类号: | H05K3/34 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 卜科武 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种低熔点导电膏及其制备方法,由导电填料、粘结剂、固化剂、助剂和有机溶剂组成,其特征在于,导电填料为金属粉末,金属粉末包括金属颗粒,金属颗粒包括心部金属以及包覆于心部金属表面的外部金属层,外部金属层的最低熔点低于粘结剂的固化温度;外部金属层的金属层数为1‑5层,心部金属的材质为Cu或Ni,外部金属层的材质为Zn、Ni、Cr、Ag、Sb、In、Bi或Sn中的一种或多种;导电填料在低熔点导电膏中的质量分数为50‑99wt%,外部金属层在金属颗粒中的质量分数为10‑99.5wt%;通过调整外部金属层的金属层数、外部金属层各层金属的材质、外部金属层在所述金属颗粒中的质量分数以及导电填料在低熔点导电膏中的质量分数对IMC层的生长速度进行有效控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 熔点 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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