[发明专利]一种低熔点导电膏及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110685118.2 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113573498A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 杨雪薇;刘开煌;虞成城 申请(专利权)人: 深圳市信维通信股份有限公司
主分类号: H05K3/34 分类号: H05K3/34
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 卜科武
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 熔点 导电 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低熔点导电膏,由导电填料、粘结剂、固化剂、助剂和有机溶剂组成,其特征在于,所述导电填料为金属粉末,所述金属粉末包括金属颗粒,所述金属颗粒包括心部金属以及包覆于所述心部金属表面的外部金属层,所述外部金属层的最低熔点低于所述粘结剂的固化温度;所述外部金属层的金属层数为1-5层,所述心部金属的材质为Cu或Ni,所述外部金属层的材质为Zn、Ni、Cr、Ag、Sb、In、Bi或Sn中的一种或多种;所述导电填料在所述低熔点导电膏中的质量分数为50-99wt%,所述外部金属层在所述金属颗粒中的质量分数为10-99.5wt%。

2.根据权利要求1所述的低熔点导电膏,其特征在于,所述粘结剂在所述低熔点导电膏中的质量分数为5-50wt%,所述粘结剂为热塑性树脂和/或热固性树脂。

3.根据权利要求1所述的低熔点导电膏,其特征在于,所述固化剂为胺类或酸类有机物。

4.根据权利要求1所述的低熔点导电膏,其特征在于,所述助剂在所述低熔点导电膏中的质量分数为0-20wt%,所述助剂包括固化促进剂、抗腐蚀剂、阻燃剂、助熔剂、流平剂消泡剂、偶联剂、抗沉降剂和颜料中的一种或数种。

5.根据权利要求1所述的低熔点导电膏,其特征在于,所述金属颗粒的平均粒径为0.02-30μm。

6.一种用于制备权利要求1-5中任一项所述的低熔点导电膏的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤,获取Cu或Ni材质的心部金属,通过化学镀覆、电镀、溅镀或真空蒸镀的方式在所述心部金属上形成外部金属层,得到金属颗粒;将得到的所述金属颗粒与其他导电粉末混合得到金属粉末,以所述金属粉末作为导电填料与粘结剂、固化剂、助剂和有机溶剂通过混合机混合得到所述低熔点导电膏。

7.根据权利要求6所述的低熔点导电膏的制备方法,其特征在于,所述混合机为球磨机、辊磨机和行星混合机中的一种或多种。

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