[发明专利]一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件在审
| 申请号： | 202110683397.9 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113463197A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 林大野;王治中;蔡钦铭 | 申请（专利权）人： | 广州爱思威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;C30B25/02 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 陈小娟 |
| 地址： | 510000 广东省广州市南沙区万顷*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件，所述碳化硅晶体的制备方法包括以下步骤：将甲基三氯硅烷和氢气在第一反应腔内进行还原分解反应，生成四氢化硅和乙烷；将所述四氢化硅和乙烷在第二反应腔内进行反应，生成碳化硅单晶；使所述碳化硅单晶在籽晶处形核、长大，结晶形成碳化硅单晶并生长成为碳化硅晶体。本发明以甲基三氯硅烷为原料，采用HTCVD方法生长制备碳化硅，显著降低了碳化硅制备过程中的反应温度，避免了碳源挥发造成碳化硅质量下降的问题，提高了制备所得的碳化硅晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 制备 方法 晶片 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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