[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110678555.1 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN115084279A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 平田直文;蔵口友美;植木伸一;堀阳一;谷平圭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的半导体装置具备包含第1导电型的第1半导体层的半导体部、设置于上述半导体部的背面上的第1电极、和设置于上述半导体部的表面上的第2电极。上述第2电极包含势垒层和金属层，上述势垒层与上述第1半导体层相接，包含钒或钒化合物作为主要成分。上述金属层设置于上述势垒层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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