[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

半导体部，该半导体部包含第1导电型的第1半导体层；

第1电极，该第1电极设置于所述半导体部的背面上；和

第2电极，该第2电极是设置于所述半导体部的表面上的第2电极，所述第2电极包含势垒层和金属层，所述势垒层与所述第1半导体层相接，包含钒或钒化合物作为主要成分，所述金属层设置于所述势垒层上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1半导体层为碳化硅层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1半导体层为氮化镓层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体部包含氮化物半导体或氧化物半导体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2电极的所述势垒层包含金属钒或氮化钒。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2电极的所述势垒层包含钒与硅的合金、钒与铝的合金、及碳化钒中的至少任一者。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体层进一步包含设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的第2导电型的第2半导体层，

所述第1半导体层具有在所述第2半导体层中延伸、与所述第2电极的所述势垒层相接的部分。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第2电极进一步包含与所述第2半导体层相接并且被电连接的接触层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述势垒层包含与所述第1半导体层相接的第1部分、和设置于所述接触层与所述金属层之间的第2部分。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述半导体部进一步包含所述第2导电型的第3半导体层和所述第2导电型的第4半导体层，

所述第3半导体层设置于所述第2半导体层与所述第2电极的所述接触层之间，

所述第4半导体层沿着所述半导体部的所述表面将所述第2半导体层包围，

所述第3半导体层及所述第4半导体层分别包含比所述所述第2半导体层的第2导电型杂质浓度高浓度的第2导电型杂质，

所述第2电极的所述接触层介由所述第3半导体层与所述第2半导体层电连接。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第4半导体层按照将所述第2半导体层的外缘覆盖的方式设置。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，其进一步具备控制电极，该控制电极是设置于所述半导体部的所述表面侧的控制电极，所述控制电极与所述第2电极的所述势垒层分离设置，与所述半导体部通过第1绝缘膜而电绝缘，介由所述第1绝缘膜与所述第1半导体层的一部分相对，

所述半导体部进一步包含第2导电型的第2半导体层和第1导电型的第5半导体层，

所述第2半导体层包含设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间、介由所述第1绝缘膜与所述控制电极相对的部分，

所述第5半导体层设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间，与所述第1绝缘膜相接，与所述第2电极的所述金属层电连接。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述第2电极按照将所述控制电极覆盖的方式设置，

所述控制电极通过设置于所述第2电极与所述控制电极之间的第2绝缘膜而与所述第2电极电绝缘。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述半导体部进一步包含所述第2导电型的第3半导体层，

所述第3半导体层设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间，包含比所述第2半导体层的第2导电型杂质的浓度高浓度的第2导电型杂质，

所述第2电极的所述金属层在所述势垒层与所述控制电极之间与所述第3半导体层电连接。