[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的实施方式的半导体装置具备包含第1导电型的第1半导体层的半导体部、设置于上述半导体部的背面上的第1电极、和设置于上述半导体部的表面上的第2电极。上述第2电极包含势垒层和金属层，上述势垒层与上述第1半导体层相接，包含钒或钒化合物作为主要成分。上述金属层设置于上述势垒层上。

关联申请

本申请享有以日本专利申请2021-41019号(申请日：2021年3月15日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

对于半导体装置要求电特性的提高。例如，肖特基势垒二极管优选具有低的正向电压及低的反向电流。

发明内容

实施方式提供能够提高电流/电压特性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备包含第1导电型的第1半导体层的半导体部、设置于上述半导体部的背面上的第1电极、和设置于上述半导体部的表面上的第2电极。上述第2电极包含与上述第1半导体层相接且以钒作为主要成分的势垒层、和设置于上述势垒层上的金属层。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的示意截面图。

图2(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体装置的特性的图表。

图3(a)～(c)是表示第1实施方式的变形例的半导体装置的电极结构的示意截面图。

图4是表示第1实施方式的变形例的半导体装置的示意截面图。

图5是表示第2实施方式的半导体装置的示意截面图。

具体实施方式

实施方式的半导体装置具备包含第1导电型的第1半导体层的半导体部、设置于上述半导体部的背面上的第1电极、和设置于上述半导体部的表面上的第2电极。上述第2电极包含与上述第1半导体层相接且以钒作为主要成分的势垒层、和设置于上述势垒层上的金属层。

以下，对实施方式在参照附图的同时进行说明。对于附图中的相同部分，标注相同编号并适当省略其详细的说明，对于不同的部分进行说明。需要说明的是，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实的情况相同。另外，即使是表示相同部分的情况下，根据附图有时彼此的尺寸或比率也不同地被表现。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式的半导体装置1的示意截面图。半导体装置1例如为肖特基势垒二极管。

如图1中所示的那样，半导体装置1具备半导体部10、第1电极20、第2电极30和绝缘膜40。

半导体部10例如包含第1导电型的半导体基板11、和第1导电型的第1半导体层13。半导体基板11例如为n型碳化硅(SiC)基板。第1半导体层13例如为n型SiC层或n型氮化镓(GaN)层。第1半导体层13在半导体基板11上被外延生长。以下，将第1导电型设定为n型、将第2导电型设定为p型来进行说明。

半导体部10具有表面及其相反侧的背面。第1电极20设置于半导体部10的背面上。第2电极30设置于半导体部10的表面上。半导体基板11位于第1半导体层13与第1电极20之间。第1半导体层13位于半导体基板11与第2电极30之间。第1电极20例如为包含金(Au)或铝(Al)的金属层。

第2电极30例如包含势垒层31和金属层33。势垒层31与第1半导体层13相接，例如包含钒(V)作为主要成分。金属层33设置于势垒层31上，例如包含钼(Mo)或铝(Al)。