[发明专利]一种微发光二极管芯片、其制作方法及显示装置在审
| 申请号： | 202110676491.1 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113270522A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王明星;张方振;王珂;曹占锋;袁广才;齐琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 金俊姬 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种微发光二极管芯片、其制作方法及显示装置，所述微发光二极管芯片包括衬底和阵列分布在衬底上的多个微发光二极管单元，多个微发光二极管单元中每个微发光二极管单元包括多个相互独立的发光区和包围各个发光区的非发光区，每个发光区包括有效发光区和包围有效发光区的无效发光区；每个发光区包括依次背离衬底的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，P型氮化镓层位于有效发光区内的第一部分在衬底上的正投影面积小于多量子阱层在衬底上的正投影面积，多量子阱层包括位于有效发光区且与第一部分相交的第二部分以及除第二部分之外的第三部分，第三部分由有效发光区延伸至无效发光区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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