[发明专利]存储器器件及其操作方法在审
申请号: | 202110665425.4 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN113471247A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 江法伸;陈侠威;金海光;匡训冲 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L27/24;G11C16/04 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种存储器器件包括场效应晶体管和可变电容电容器。栅极结构包括栅极电介质和中间电极。该可变电容电容器包括:下电容器板,包括中间电极;上电容器板,包括控制栅极电极;以及可变电容节点电介质,并包括电场可编程金属氧化物材料。该电场可编程金属氧化物材料提供可变有效介电常数,并且数据位可作为可变电容节点电介质的介电状态存储在存储器器件中。该可变电容节点电介质提供其中的金属原子的可逆电场相依电阻率调制或可逆电场相依移动。本发明的实施例还涉及操作存储器器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 存储器 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的