[发明专利]一种碳化硅沟槽刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅沟槽刻蚀方法，通过在碳化硅衬底材料上进行CVD形成氧化层，在氧化层上涂布光阻后按照设计版图进行光刻；在光刻区域采用干法刻蚀的方法去除氧化层；采用SF6和C4F8的混合气体对去除氧化层的碳化硅衬底进行刻蚀，能够发生化学反应生成聚合物，所生成的聚合物附着在图形的底部和侧壁上，能够对底部和侧壁，特别是图形沟槽产生保护作用，从而减弱反应离子对图形拐角处的刻蚀，有效地防止了微沟槽在图形拐角处形成，本发明工艺流程简单，形成的碳化硅沟槽侧壁光滑、沟槽底部没有微沟槽效应；其方法理论简单易于理解，有效提高碳化硅衬底材料的沟槽的刻蚀效率。