[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110658911.3 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410250B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 赵婷婷;张坤;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，该方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的电介质层和牺牲层的叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的栅线缝隙；对栅线缝隙进行填充，以形成填充层；去除位于栅线缝隙顶部的填充层，以形成沟槽；在叠层结构远离衬底的一侧以及沟槽中沉积保护层。该三维存储器及其制备方法在一定程度上避免栅线缝隙局部发生形变导致结构不稳定甚至坍塌，进而可以增加存储器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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