[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成包括交替堆叠的电介质层和牺牲层的叠层结构；

形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的栅线缝隙；

对所述栅线缝隙进行填充，以形成填充层；

去除位于所述栅线缝隙顶部的填充层，以形成沟槽；以及

在所述叠层结构远离所述衬底的一侧以及所述沟槽中沉积保护层，其中所述保护层的材料为绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述栅线缝隙进行填充，以形成填充层之前还包括：

在所述栅线缝隙内壁上形成阻隔层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述叠层结构远离所述衬底的一侧以及所述沟槽中沉积保护层之后还包括：

对所述保护层进行平坦化处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述叠层结构远离所述衬底的一侧以及所述沟槽中沉积保护层之后还包括：

对所述叠层结构进行热处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述栅线缝隙进行填充，以形成填充层之前还包括：

经由所述栅线缝隙将所述牺牲层置换为栅极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，经由所述栅线缝隙将所述牺牲层置换为栅极层包括：

经由所述栅线缝隙去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；

在所述栅线缝隙侧壁以及所述牺牲间隙内壁上形成绝缘层；

在所述牺牲间隙内填充导电材料，以形成所述栅极层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述栅线缝隙侧壁以及所述牺牲间隙内壁上形成绝缘层包括：

在所述栅线缝隙侧壁以及所述牺牲间隙内壁上依次形成阻挡层和粘合层；以及

去除所述栅线缝隙侧壁上的所述粘合层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的栅线缝隙之前，所述方法还包括：

形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的沟道孔；以及

在所述沟道孔的内壁上依次形成功能层和沟道层，并在所述沟道孔内填充绝缘材料，以形成沟道结构。

9.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，位于所述衬底上，包括交替堆叠的电介质层和栅极层；

贯穿所述叠层结构的栅线缝隙，所述栅线缝隙内的底部设置有填充层；以及

保护层，位于所述叠层结构远离所述衬底的一侧上并填充所述栅线缝隙的剩余部分，并且至少覆盖部分所述叠层结构，其中所述保护层的材料为绝缘材料。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极层包括位于芯部的导电层以及依次至少部分围绕所述导电层的粘合层和阻挡层。

11.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

沟道结构，贯穿所述叠层结构并与所述衬底接触，包括绝缘芯部以及依次围绕所述绝缘芯部的沟道层和功能层。

12.一种存储系统，包括控制器和如权利要求9至11中任意一项所述的三维存储器，控制器耦合至所述三维存储器，并控制所述三维存储器存储数据。