[发明专利]深紫外发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202110656123.0 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113380930B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;毕京锋;高默然;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种深紫外发光二极管及其制造方法，包括自下向上的衬底、模板层、应力控制层、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述应力控制层为Al |
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| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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