[发明专利]深紫外发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202110656123.0 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113380930B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;毕京锋;高默然;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括自下向上的衬底、模板层、应力控制层、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述应力控制层为自下向上堆叠的AlaGa1-aN/AlbGa1-bN超晶格层和AlcGa1-cN非超晶格层，所述AlaGa1-aN/AlbGa1-bN超晶格层包括周期性交替堆叠的AlaGa1-aN层和AlbGa1-bN层，所述AlcGa1-cN非超晶格层包括Al组分呈梯度排列的至少两层结构，c≤0.8b0.9a1，每个周期中的所述AlaGa1-aN层相比所述AlbGa1-bN层更靠近所述模板层，所述AlcGa1-cN非超晶格层中各层结构的Al组分自下向上逐层减小。
2.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述模板层为AlN层。
3.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述n型半导体层为n型AlxGa1-xN层，0.4≤x0.8。
4.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述周期性交替堆叠的周期数大于1且小于50。
5.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述AlaGa1-aN/AlbGa1-bN超晶格层的厚度小于200nm。
6.如权利要求3所述的深紫外发光二极管，其特征在于，xc。
7.如权利要求6所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述AlcGa1-cN非超晶格层中Al组分的梯度层数n＝(c-x)/m，其中，m为Al组分的梯度，n1。
8.如权利要求7所述的深紫外发光二极管，其特征在于，0≤m≤0.3。
9.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述AlcGa1-cN非超晶格层的厚度大于100nm。
10.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述p型半导体层为p型AlyGa1-yN层，0.45≤y≤1。
11.如权利要求1～10中任一项所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述深紫外发光二极管还包括位于所述p型半导体层上的p型接触层。
12.如权利要求11所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述p型接触层为p型AlzGa1-zN层，0≤z≤0.4。
13.如权利要求11所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述p型接触层的厚度为20nm～400nm。
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